Viện Vật lý và Máy quang học Trường Xuân (CIPM), Viện Khoa học Trung Quốc (CAS), vừa báo cáo rằng nhóm nghiên cứu về laser bán dẫn công suất cao tại CIPM, dưới sự lãnh đạo của học giả Wang Lijun và nhà nghiên cứu Ning Yongqiang, đã tiến hành nghiên cứu. về laser bán dẫn băng thông hẹp tiên tiến và các công nghệ chủ chốt trong những năm gần đây.
Gần đây, Phó nhà nghiên cứu Chao Chen của nhóm đã báo cáo về một loại laser bán dẫn phân cực tuyến tính có băng thông hẹp 852nm dựa trên cấu trúc phản hồi quang học bên ngoài. Cấu trúc laser đạt được đầu ra laser có độ phân cực vạch cao, băng thông hẹp với tỷ lệ tuyệt chủng phân cực trên 30 dB và thấp tới 2,58 kHz bằng cách đưa vào bộ lọc cách tử Bragg lưỡng chiết do laser femto giây tạo ra và tích hợp nó với tổ hợp tương quan-phân cực cao chip khuếch đại bán dẫn sử dụng kỹ thuật phản hồi chọn lọc chế độ phân cực và khóa tiêm.
Hình (a) Các đặc tính phổ kích thích của laser, (b) Các đặc tính biến đổi tỷ lệ tuyệt chủng phân cực với dòng phun (hình nhỏ cho thấy công suất laser được đo bằng các góc quay bản sóng khác nhau của laser), (c) phổ công suất tần số nhịp và đường cong phù hợp của độ rộng đường truyền laser được đo bằng khả năng tự hấp thụ trễ thời gian và (d) kết quả thử nghiệm và mô phỏng số độ rộng đường truyền Lorentzian.
Laser này có thể được sử dụng làm nguồn sáng được bơm nguyên tử tiềm năng cho các hệ thống đo lường chính xác lượng tử và dựa trên nghiên cứu trước đây về laser có băng thông hẹp, kháng bức xạ, nó cũng hứa hẹn sẽ được sử dụng trong các hệ thống thí nghiệm lượng tử nguyên tử lạnh trong môi trường không gian, cả mũi tên trên tàu và trên tàu.
