Gần đây, Phòng thí nghiệm Jiufengshan đã đạt được một bước đột phá công nghệ đáng kể trong lĩnh vực vật liệu indium phosphide (INP), phát triển thành công quá trình tăng trưởng epiticular cho 6 - inch INP - Các chỉ số hiệu suất chính đã đạt đến cấp độ quốc tế. Thành tích này đánh dấu thành tựu trong nước đầu tiên trong lĩnh vực sản xuất vật liệu INP quy mô lớn, đạt được ứng dụng phối hợp từ thiết bị cốt lõi đến các vật liệu chính, cung cấp hỗ trợ quan trọng cho sự phát triển công nghiệp của các thiết bị quang điện tử.
Là một vật liệu cốt lõi trong truyền thông quang học, điện toán lượng tử và các lĩnh vực khác, ứng dụng công nghiệp của INP từ lâu đã phải đối mặt với các tắc nghẽn kỹ thuật trong sản xuất quy mô lớn -. Quá trình chính của ngành công nghiệp vẫn ở giai đoạn 3 inch và chi phí cao khiến nó không thể đáp ứng sự tăng trưởng bùng nổ của các ứng dụng công nghiệp hạ nguồn.
Tận dụng thiết bị MOCVD trong nước và công nghệ cơ chất INP, Phòng thí nghiệm Jiufengshan đã vượt qua những thách thức của việc kiểm soát lớn - tính đồng nhất epiticular và phát triển quá trình tăng trưởng epiticular đầu tiên cho 6 - inch inch. Các chỉ số hiệu suất chính đã đạt đến các cấp độ hàng đầu quốc tế, đặt nền tảng cho việc sản xuất chip quang indium phosphide (INP) 6 inch.
Tính chất vật chất:
• Bước sóng phát xạ Laser Laser Lượng tử PL trong chip có độ lệch chuẩn trong -<1.5nm, and composition and thickness uniformity is <1.5%.
• Nồng độ nền vật liệu của máy dò pin là<4×10¹⁴cm⁻³, and mobility is >11.000 cm²/v · s.
Đội quy trình epitaxial của phòng thí nghiệm Jiufengshan
Chống lại sự phát triển nhanh chóng của ngành công nghiệp quang điện tử toàn cầu, nhu cầu về indium photphide (INP) trong truyền thông quang học, LIDAR, Truyền thông Terahertz và các lĩnh vực khác đang trải qua sự phát triển bùng nổ. Theo Yole Développement, thị trường Optoelectronics INP dự kiến sẽ đạt 5,6 tỷ USD vào năm 2027, với tốc độ tăng trưởng hàng năm (CAGR) là 14%. Bước đột phá trong quá trình Indium Photphua (INP) 6 inch dự kiến sẽ giảm chi phí chip quang học trong nước xuống 60% -70% của quy trình 3 inch, giúp tăng cường khả năng cạnh tranh thị trường của chip quang học trong nước.
