Silicon cacbua là a thế hệ thứ ba chất bán dẫn vật liệu với tuyệt vời hiệu suất% 2c đặc trưng bởi tốt quang học tính chất% 2c hóa học tính trơ% 2c tuyệt vời vật lý tính chất% 2c bao gồm khoảng cách băng chiều rộng% 2c cao sự cố điện áp% 2c cao nhiệt độ dẫn điện và cao nhiệt độ điện trở% 2c v.v. , OFTEN AS A New Generation OF High-frequency, High-Power Devices AS the Substrate Material, Widely Used In High-End Manufacturing Area, Such AS A New Generation OF Electronic Industrial Equipment, Aerospace and SO on. Đặc biệt nổi bật là tăng trong gần đây năm và phát triển mới năng lượng ô tô công nghiệp% 2c it is ước tính đó in 2025 Trung Quốc% 27s mới năng lượng xe hàng năm sản lượng của gần gần 6 triệu% 2c chip cho % 7b% 7b6% 7d% 7d % 2f xe 2c of cái nào nhiều hơn hơn 50 phần trăm cho silicon cacbua chip.
Trong các tương tác giữa laser và silicon cacbua vật liệu% 2c liên tục laser% 2c dài xung laser và thậm chí nano giây ngắn xung laser và vật liệu phản ứng là chủ yếu nhiệt hiệu ứng% 2c nó xử lý nguyên tắc is a cao công suất mật độ laser chùm tia tập trung trên bề mặt của vật liệu để sưởi ấm, nóng chảy xử lý. The picosecond, femtosecond ultrashort pulse laser focused on the material surface is based on material ionization removal, belonging to the non-traditional sense of the cold processing treatment.
In the silicon carbide semiconductor wafer back-channel process, the need for individual wafer marking, cutting, slicing, packaging and other steps, and ultimately become a complete commercial chip, in which the wafer marking, cutting process has gradually begun to use the laser processing equipment to replace the traditional mechanical processing equipment to deal with the advantages of high efficiency, good results, and small material loss.
01. Laser wafer đánh dấu ứng dụng
In the silicon cacbua wafer chip production process, in order to have the chip distinction, traceability and other functions, the need for each chip were unique bar code marking. The traditional chip marking method is generally ink printing or mechanical needle engraving, etc., low efficiency, large amount of consumables and other shortcomings. Laser đánh dấu as a không tiếp xúc xử lý phương pháp% 2c với nhỏ hư hỏng đến chip % 2c cao xử lý hiệu quả% 2c quy trình không vật tư tiêu hao ưu điểm% 2c đặc biệt in the wafer thêm và nhiều hơn mỏng và ánh sáng bật chế biến chất lượng và độ chính xác yêu cầu của xu hướng của nó lợi thế là nhiều hơn rõ ràng.
Silicon cacbua wafer nano giây UV laser đánh dấu hiệu ứng% 2c ký tự chiều cao 1,62mm% 2c ký tự chiều rộng % 7b% 7b2% 7d,81mm% 2c độ sâu 50% ce% bcm% 2c xung quanh nhô ra chiều cao 5% ce% bcm.
02. Laser Back Gold Removal Process
After completing the production of a number of chips on the whole silicon carbide wafer, it is need to cut and slice it to get an independent chip into the back-end sealing and testing process. Silicon carbide chips need to be gold-plated (drain) on the backside during the production process, so the backside gold and silicon carbide substrate materials need to be cut and sepicated together during during
Đối với silicon cacbua wafer cắt lát quy trình% 2c truyền thống chế biến phương pháp cho kim cương dao bánh xe cắt% 2c này cơ khí mài quy trình có lợi thế của rất trưởng thành công nghệ, thị trường chia sẻ là rất cao, the thiếu sót xử lý hiệu quả là thấp% 2c chế biến quy trình của vật tư tiêu hao (tinh khiết nước% 2c dụng cụ mặc% 2c v.v.) sử dụng của lớn số lượng của chip vật liệu% 2c như vậy như cao tổn thất. Đặc biệt the back gold loại bỏ part, due to the ducility of the metal, the knife wheel cutting speed need to be reduced to a very low and easy to to have the metal curled in the blade and do đó affect the cutting quality. Laser xử lý là a không tiếp xúc xử lý% 2c the quy trình không yêu cầu vật tư tiêu hao% 2c cao xử lý hiệu quả% 2c tốt xử lý chất lượng% 2c dựa trên trên những điều này lợi thế in the back vàng loại bỏ và cắt và cắt lát của hai quy trình đang dần dần tăng in the ứng dụng.
Back gold removal laser process generally use nanosecond or picosecond ultraviolet laser as a light source, with the appropriate focusing cutting head and precision motor motion platform to collimated way to process, generally remove the back gold thickness of 10 μm or less, the removal of the width of not less than half of the front channel. The silicon carbide wafer is inverted (the front side with grooves is facing down, and the back gold side is facing up) on a transparent adsorption jig, and the lower CCD grabs the wafer grooves through the transparent jig for alignment, and then the laser on the top of the jig focuses on the back gold side of the wafer corresponding to the location of the grooves for back gold removal processing.
Picosecond UV laser ủng hộ vàng loại bỏ hiệu ứng trên silicon cacbua wafer với ủng hộ vàng% 2c trước bên rãnh chiều rộng là 100% ce% bcm% 2c ủng hộ vàng loại bỏ chiều rộng là nhiều hơn hơn 50% ce% bcm% 2c và loại bỏ độ sâu là khoảng 3% ce% bcm.
03. Laser Vô hình Sửa đổi Cắt Quy trình
Đối với silicon cacbua tấm wafer với vàng lớp nền loại bỏ loại bỏ bề mặt có thể nguyên nhân a giảm in laser truyền do đến vàng ủng hộ dư lượng hoặc silicon cacbua thiệt hại% 2c chế tạo nó khó khăn đến đạt được a tốt tàng hình cắt cắt hiệu ứng% 2c so the laser cần đến be sự cố từ kênh bề mặt cho cắt. Laser tàng hình cắt của silicon cacbua nói chung sử dụng a pico giây hồng ngoại laser as ánh sáng nguồn% 2c và cận hồng ngoại bước sóng có thể tốt hơn xuyên qua silicon cacbua và tập trung trên vật liệu đến dạng a sửa đổi vùng.
The thickness of silicon carbide wafers varies from 100μm to 400μm depending on the chip requirements and the process, and usually a single invisible cut does not have a large enough re-modeling zone to complete a high-quality lobe, so it is necessary to move the focal point position for multiple invisible cuts. In this process, due to the large refractive index of the silicon carbide material to the laser and at the same time need to ensure that can not hurt the upper and lower surfaces, moving the focus of the Z-axis precision requirements are very high, usually need to add the focus of the function of the followers, the focus of the processing surface caused by the ups and downs caused by the change in detection and real-time compensation.
In recent years with the development of technology and innovation, silicon carbide chip market is increasing, the production of chips in the process available to the laser processing of the field is also gradually increasing, Huagong laser grasp the opportunities for the development of the industry, in-depth research and development of silicon carbide wafers laser processing technology and its applications, has been around the wafer marking, back gold removal, laser invisible texture modification cutting and other related processes to launch a series of "Laser plus Intelligent Manufacturing" solutions, and for the industry to develop a long-term cooperation plan for industry, academia, research and use, for the expansion of the laser intelligent equipment market, the realization of high-end equipment localization is very important. Translated with www.DeepL.com/Translator (free version)
