Gần đây, tại Diễn đàn IC SEMICON Đài Loan 2026, gã khổng lồ in thạch bản toàn cầu ASML đã cung cấp thông tin chi tiết về dữ liệu cốt lõi mới nhất và tiến bộ công nghệ của máy in thạch bản Cao-NA EUV (Tia cực tím khẩu độ cao) khi chúng tiến tới sản xuất số lượng lớn-(HVM).
Về quy mô sản xuất và cung cấp thiết bị, ASML thông báo rằng 4 khách hàng trên toàn thế giới đã hoàn tất quá trình cài đặt, với tổng số 10 hệ thống EUV NA-cao hiện đã hoạt động đầy đủ. Ba hệ thống bổ sung hiện đang trong giai đoạn vận chuyển và lắp đặt. Cho đến nay, những chiếc máy này đã cho ra tổng cộng hơn 1,35 triệu tấm bán dẫn, đánh dấu sự chuyển đổi của công nghệ từ xác thực thử nghiệm sang ứng dụng công nghiệp-quy mô đầy đủ. Đáng chú ý là Intel đã dẫn đầu bằng cách sử dụng công nghệ này để-sản xuất hàng loạt một số bộ xử lý Core Ultra Series 3 (có tên mã là Panther Lake) trên nút quy trình Intel 18A, trở thành công ty đầu tiên trên toàn cầu đạt được-khối lượng lớn chip logic sử dụng EUV{11}}NA cao.
Về hiệu suất và độ ổn định của thiết bị, mẫu sản xuất hàng loạt-thế hệ{1}}đầu tiên, EXE:5200B, đã đạt được thông lượng 135 tấm wafer mỗi giờ (WPH) trong quá trình thử nghiệm chấp nhận, đáp ứng các tiêu chuẩn HVM. Trong khi đó, tỷ lệ sẵn sàng của đội tàu toàn cầu đã tăng lên 84%. ASML dự đoán tỷ lệ này sẽ đạt 90% vào cuối năm 2026, với-mục tiêu dài hạn là 93%. Bằng cách tận dụng kinh nghiệm bảo trì từ nền tảng NXE hiện có, ASML đã đảm bảo rằng hiệu suất lớp phủ và tiêu điểm của máy đáp ứng các yêu cầu sản xuất hàng loạt nghiêm ngặt.
Liên quan đến lợi thế công nghệ và lộ trình trong tương lai, so với các hệ thống 0,33 NA EUV trước đây, 0,55 NA High-NA EUV mang lại độ phân giải vượt trội. Nó cho phép tạo mẫu đơn-thay thế cho nhiều mẫu-phức tạp, trực tiếp giảm tỷ lệ lỗi, thời gian chu kỳ sản xuất và chi phí tổng thể cho các nút nâng cao. Hơn nữa, công nghệ này mở ra không gian thiết kế mới cho bố cục chip 2D, có khả năng giảm tổng số lớp kết nối kim loại. Nhìn về phía trước, ASML đã thiết lập lộ trình công nghệ ổn định kéo dài hơn một thập kỷ. Bằng cách tăng công suất nguồn sáng EUV (từ 600W lên 1000W) và tối ưu hóa các quy trình cơ học khác, công ty đặt mục tiêu tăng công suất thiết bị lên 180 WPH vào cuối thập kỷ này, tiếp tục cung cấp hỗ trợ cốt lõi cho hoạt động sản xuất chất bán dẫn từ nút 2nm đến kỷ nguyên Angstrom.
